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書誌情報

書名

よくわかる最新パワー半導体の基本と仕組み  材料・プロセス編 図解入門 メイド・イン・ジャパンの逆襲 

著者名 佐藤 淳一/著
出版者 秀和システム
出版年月 2012.12


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No. 所蔵館 資料番号 請求記号 配架場所 所蔵棚番号 資料種別 帯出区分 状態 付録 貸出
1 中央図書館0119144277549.8/サ/1階図書室49B一般図書一般貸出在庫  

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2012
549.8 549.8
半導体 パワーエレクトロニクス

書誌詳細

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タイトルコード 1008000614533
書誌種別 図書
書名 よくわかる最新パワー半導体の基本と仕組み  材料・プロセス編 図解入門 メイド・イン・ジャパンの逆襲 
書名ヨミ ヨク ワカル サイシン パワー ハンドウタイ ノ キホン ト シクミ 
著者名 佐藤 淳一/著
著者名ヨミ サトウ ジュンイチ
出版者 秀和システム
出版年月 2012.12
ページ数 193p
大きさ 21cm
分類記号 549.8
分類記号 549.8
ISBN 4-7980-3575-8
内容紹介 シリコンウェーハ、SiC、GaNなどパワー半導体の基板材料に関する知識や、パワー半導体の製造プロセスについて豊富なイラストでわかりやすく解説する。パワー半導体メーカの動向も紹介。
著者紹介 京都大学大学院工学研究科修士課程修了。ナノフロント研究所代表。半導体技術コンサルタント、テクニカルライターとして活動。著書に「よくわかる最新半導体リソグラフィの基本と仕組み」など。
件名 半導体、パワーエレクトロニクス
言語区分 日本語

(他の紹介)内容紹介 メイド・イン・ジャパンの逆襲、注目技術の核心。“スマート”な世界で活躍する最新テクノロジーの展開が豊富なイラストで手に取るようにわかる。
(他の紹介)目次 第1章 パワー半導体超入門
第2章 パワー半導体用シリコンウェーハ
第3章 シリコンに替るSiC材料
第4章 GaNも次世代材料
第5章 パワー半導体プロセス
第6章 後工程の違い
第7章 パワー半導体メーカの動向


内容細目表

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