蔵書情報
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書誌情報
書名 |
よくわかる最新パワー半導体の基本と仕組み 進化するIGBTの課題と発展形を探る 図解入門
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著者名 |
佐藤 淳一/著
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出版者 |
秀和システム
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出版年月 |
2022.6 |
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資料情報
各蔵書資料に関する詳細情報です。
No. |
所蔵館 |
資料番号 |
請求記号 |
配架場所 |
所蔵棚番号 |
資料種別 |
帯出区分 |
状態 |
付録 |
貸出
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1 |
中央図書館 | 0180967432 | 549.8/サ/ | 1階図書室 | 49B | 一般図書 | 一般貸出 | 在庫 | |
○ |
2 |
図書情報館 | 1310563067 | 549.8/サ/ | 2階図書室 | WORK-427 | 一般図書 | 貸出禁止 | 在庫 | |
× |
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書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
タイトルコード |
1008001682047 |
書誌種別 |
図書 |
書名 |
よくわかる最新パワー半導体の基本と仕組み 進化するIGBTの課題と発展形を探る 図解入門 |
書名ヨミ |
ヨク ワカル サイシン パワー ハンドウタイ ノ キホン ト シクミ |
著者名 |
佐藤 淳一/著
|
著者名ヨミ |
サトウ ジュンイチ |
版表示 |
第3版 |
出版者 |
秀和システム
|
出版年月 |
2022.6 |
ページ数 |
247p |
大きさ |
21cm |
分類記号 |
549.8
|
分類記号 |
549.8
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ISBN |
4-7980-6683-7 |
内容紹介 |
パワー半導体を切り口にした半導体入門書。パワー半導体の歴史や動作の原理、応用、材料、プロセス、参入メーカをわかりやすく解説。水銀整流器からIGBTへの進化、日本製のパワー半導体が強い理由などがわかる。 |
著者紹介 |
京都大学大学院工学研究科修士課程修了。テクニカルライターとして活動。応用物理学会員。著書に「よくわかる最新半導体プロセスの基本と仕組み」など。 |
件名 |
半導体、パワーエレクトロニクス |
言語区分 |
日本語 |
(他の紹介)内容紹介 |
水銀整流器からIGBTへの進化と日本製のパワー半導体が強い理由。SiCとGaNなど最新情報満載! |
(他の紹介)目次 |
パワー半導体の全貌を俯瞰する パワー半導体の基本と動作 各種パワー半導体動作と役割 パワー半導体の用途と市場 パワー半導体の分類 パワー半導体用シリコンウェーハ パワー半導体プロセスの特徴 パワー半導体メーカの紹介 シリコンパワー半導体の発展 シリコンの限界に挑むSiCとGaN パワー半導体が拓く脱炭素時代 |
(他の紹介)著者紹介 |
佐藤 淳一 京都大学大学院工学研究科修士課程修了。1978年、東京電気化学工業(株)(現TDK)入社。1982年、ソニー(株)入社。一貫して、半導体や薄膜デバイス・プロセスの研究開発に従事。この間、半導体先端テクノロジーズ(セリート)創立時に出向、長崎大学工学部非常勤講師などを経験。テクニカルライターとして活動。応用物理学会員(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) |
内容細目表
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