蔵書情報
この資料の蔵書に関する統計情報です。現在の所蔵数 在庫数 予約数などを確認できます。
この資料に対する操作
カートに入れる を押すと この資料を 予約する候補として予約カートに追加します。
いますぐ予約する を押すと 認証後この資料をすぐに予約します。
※この書誌は予約できません。
この資料に対する操作
電子書籍を読むを押すと 電子図書館に移動しこの資料の電子書籍を読むことができます。
資料情報
各蔵書資料に関する詳細情報です。
No. |
所蔵館 |
資料番号 |
請求記号 |
配架場所 |
所蔵棚番号 |
資料種別 |
帯出区分 |
状態 |
付録 |
貸出
|
1 |
図書情報館 | 1310557481 | 549.8/シ/ | 2階図書室 | WORK-427 | 一般図書 | 貸出禁止 | 在庫 | |
× |
関連資料
この資料に関連する資料を 同じ著者 出版年 分類 件名 受賞などの切り口でご紹介します。
書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
タイトルコード |
1008001667588 |
書誌種別 |
図書 |
書名 |
はじめての半導体デバイス |
書名ヨミ |
ハジメテ ノ ハンドウタイ デバイス |
著者名 |
執行 直之/著
|
著者名ヨミ |
シギョウ ナオユキ |
版表示 |
増補版 |
出版者 |
近代科学社
|
出版年月 |
2022.4 |
ページ数 |
6,149p |
大きさ |
26cm |
分類記号 |
549.8
|
分類記号 |
549.8
|
ISBN |
4-7649-0644-0 |
内容紹介 |
はじめて半導体を学ぶ人に向け、シリコンを中心に半導体デバイスの基礎を直観的かつ本質的に理解できるよう、図を多用して解説。エネルギーバンド図の描き方も説明。MOSトランジスタの電流電圧特性について加筆した増補版。 |
件名 |
半導体 |
言語区分 |
日本語 |
(他の紹介)目次 |
1章 半導体とMOSトランジスタの簡単な説明 2章 半導体の基礎物理 3章 pn接合ダイオード 4章 バイポーラトランジスタ 5章 MOSキャパシタ 6章 MOSトランジスタ 7章 超LSIデバイス |
(他の紹介)著者紹介 |
執行 直之 東北大学工学研究科情報工学専攻修了。博士(工学)。IEEE Fellow。1980年(株)東芝入社。2019年キオクシア株式会社。専門は、半導体デバイス・シミュレーションとデバイス設計。1982年に3次元デバイス・シミュレータを開発し、デバイスの微細化での問題を解明した。さらに、少数キャリア移動度などの物理モデルを構築して、デバイス・シミュレータを実用化し、超LSIの実現に貢献した。また、静電破壊(ESD)やソフトエラーなどの問題も解決した(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) |
内容細目表
前のページへ