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所蔵数 3 在庫数 3 予約数 0

書誌情報

書名

不幸になる生き方   集英社新書  

著者名 勝間 和代/著
出版者 集英社
出版年月 2010.6


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No. 所蔵館 資料番号 請求記号 配架場所 所蔵棚番号 資料種別 帯出区分 状態 付録 貸出
1 9012912920159/カ/書庫文庫一般図書一般貸出在庫  
2 旭山公園通1213057175159/カ/図書室一般図書一般貸出在庫  
3 厚別南8313191630159/カ/新書一般図書一般貸出在庫  

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渡辺 淳一
2016
913.6 913.6
吉川英治文庫賞

書誌詳細

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タイトルコード 1008000295391
書誌種別 図書
書名 不幸になる生き方   集英社新書  
書名ヨミ フコウ ニ ナル イキカタ 
著者名 勝間 和代/著
著者名ヨミ カツマ カズヨ
出版者 集英社
出版年月 2010.6
ページ数 254p
大きさ 18cm
分類記号 159
分類記号 159
ISBN 4-08-720547-3
内容紹介 なんでも他人のせいにする、目先の欲求に負けがち、陰口・悪口が最大の気晴らし、「面倒くさい」が口癖…。不幸を招く7つの法則を示し、それを避ける技術をアドバイスする。
著者紹介 1968年生まれ。早稲田大学ファイナンスMBA。経済評論家。公認会計士。中央大学ビジネススクール客員教授。
件名 人生訓
言語区分 日本語

(他の紹介)内容紹介 水銀整流器からIGBTへの進化と日本製のパワー半導体が強い理由。SiCとGaNなど最新情報満載!
(他の紹介)目次 パワー半導体の全貌を俯瞰する
パワー半導体の基本と動作
各種パワー半導体動作と役割
パワー半導体の用途と市場
パワー半導体の分類
パワー半導体用シリコンウェーハ
パワー半導体プロセスの特徴
パワー半導体メーカの紹介
シリコンパワー半導体の発展
シリコンの限界に挑むSiCとGaN
パワー半導体が拓く脱炭素時代
(他の紹介)著者紹介 佐藤 淳一
 京都大学大学院工学研究科修士課程修了。1978年、東京電気化学工業(株)(現TDK)入社。1982年、ソニー(株)入社。一貫して、半導体や薄膜デバイス・プロセスの研究開発に従事。この間、半導体先端テクノロジーズ(セリート)創立時に出向、長崎大学工学部非常勤講師などを経験。テクニカルライターとして活動。応用物理学会員(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)


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