蔵書情報
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書誌情報
書名 |
ミルトンと急進思想 英国革命期の正統と異端
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著者名 |
長沢 順治/著
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出版者 |
沖積舎
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出版年月 |
1997.6 |
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資料情報
各蔵書資料に関する詳細情報です。
No. |
所蔵館 |
資料番号 |
請求記号 |
配架場所 |
所蔵棚番号 |
資料種別 |
帯出区分 |
状態 |
付録 |
貸出
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1 |
中央図書館 | 0110823408 | 931.5/ナ/ | 書庫1 | | 一般図書 | 一般貸出 | 在庫 | |
○ |
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書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
タイトルコード |
1001001026741 |
書誌種別 |
図書 |
書名 |
ミルトンと急進思想 英国革命期の正統と異端 |
書名ヨミ |
ミルトン ト キュウシン シソウ |
著者名 |
長沢 順治/著
|
著者名ヨミ |
ナガサワ ジュンジ |
出版者 |
沖積舎
|
出版年月 |
1997.6 |
ページ数 |
184p |
大きさ |
20cm |
分類記号 |
931.5
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分類記号 |
931.5
|
ISBN |
4-8060-4617-5 |
内容紹介 |
ミルトンが生きた17世紀英国革命期は、キリスト教界での新旧勢力の抗争期でもあった。急進セクトが伝統や権威に対峙した姿や流れを再考し、人類の歴史の意味を再考する。当時再興したグノーシス主義についての考察も追加。 |
件名 |
社会思想-イギリス、ピューリタン革命(1640〜1660) |
個人件名 |
Milton John |
言語区分 |
日本語 |
(他の紹介)目次 |
1章 半導体とMOSトランジスタの簡単な説明 2章 半導体の基礎物理 3章 pn接合ダイオード 4章 バイポーラトランジスタ 5章 MOSキャパシタ 6章 MOSトランジスタ 7章 超LSIデバイス |
(他の紹介)著者紹介 |
執行 直之 東北大学工学研究科情報工学専攻修了。博士(工学)。IEEE Fellow。1980年(株)東芝入社。2019年キオクシア株式会社。専門は、半導体デバイス・シミュレーションとデバイス設計。1982年に3次元デバイス・シミュレータを開発し、デバイスの微細化での問題を解明した。さらに、少数キャリア移動度などの物理モデルを構築して、デバイス・シミュレータを実用化し、超LSIの実現に貢献した。また、静電破壊(ESD)やソフトエラーなどの問題も解決した(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです) |
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