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書誌情報

書名

「愛されない」と思っていた私への手紙     

著者名 林 あまり/著
出版者 大和出版
出版年月 1997.5


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No. 所蔵館 資料番号 請求記号 配架場所 所蔵棚番号 資料種別 帯出区分 状態 付録 貸出
1 中央図書館0115402737914.6/ハヤ/書庫1一般図書一般貸出在庫  

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2005
913.369 913.369

書誌詳細

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タイトルコード 1001001010341
書誌種別 図書
書名 「愛されない」と思っていた私への手紙     
書名ヨミ アイサレナイ ト オモッテ イタ ワタクシ エノ テガミ 
著者名 林 あまり/著
著者名ヨミ ハヤシ アマリ
出版者 大和出版
出版年月 1997.5
ページ数 192p
大きさ 19cm
分類記号 914.6
分類記号 914.6
ISBN 4-8047-0215-6
内容紹介 ダメな人間かもしれない、どうしようもないのかもしれない。それでもありのままのこの私を「大丈夫、そのままで充分」と言ってもらえたら…。コンプレックスに押し潰されそうだった少女時代との対話。
著者紹介 1963年東京都生まれ。成蹊大学文学部卒業。著書に「最後から二番目のキッス」「劇場、このふしぎなおともだち」などがある。
言語区分 日本語

(他の紹介)内容紹介 バンド理論をはじめとした固体物理の知見は、20世紀半ばに半導体デバイスという大発明の実を結んだ。それから50年足らずの今日、半導体エレクトロニクスは、携帯電話、パソコン、インターネットなど、今日のIT社会を支える技術の基礎となっている。高度な情報処理を可能とする半導体デバイスはいったいどのような原理にもとづいて作動しているのか。物質中の電子のふるまいから始め、ていねいに解説する。
(他の紹介)目次 1 半導体中の電子と正孔(固体の電気的性質
半導体の特徴と種類
半導体中の電子および正孔の濃度
不純物半導体の特性
半導体の電気的性質)
2 半導体pn接合(pn接合の形成
電流―電圧特性
pn接合の空乏層容量
金属−半導体接触)
3 金属‐絶縁物‐半導体(MOS)構造(理想MOSダイオード
MOSダイオードの動作状態
表面電位と表面キャリア濃度
反転しきい値電圧
実際のMOSダイオード)
4 MOS集積回路(MOSFETの電流‐電圧特性
MOSFETの種類
CMOS基本回路
論理回路とメモリ回路)
5 半導体光デバイス(光電変換デバイスの現状
受光デバイス
発光デバイス)
(他の紹介)著者紹介 石原 宏
 1945年生まれ。1968年東京工業大学理工学部電子工学科卒業。1973年東京工業大学大学院理工学研究科博士課程修了。現在、東京工業大学フロンティア創造共同研究センター教授。専門は、半導体工学、集積回路、強誘電体メモリ(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)


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