蔵書情報
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書誌情報
| 書名 |
日本昔話通観 研究篇 2 日本昔話と古典
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| 出版者 |
同朋舎
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| 出版年月 |
1998.3 |
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資料情報
各蔵書資料に関する詳細情報です。
| No. |
所蔵館 |
資料番号 |
請求記号 |
配架場所 |
所蔵棚番号 |
資料種別 |
帯出区分 |
状態 |
付録 |
貸出
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| 1 |
中央図書館 | 0110000122 | 388.1/ニ/ | 書庫5 | | 一般図書 | 一般貸出 | 在庫 | |
○ |
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書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
| タイトルコード |
1001001069166 |
| 書誌種別 |
図書 |
| 書名 |
日本昔話通観 研究篇 2 日本昔話と古典 |
| 書名ヨミ |
ニホン ムカシバナシ ツウカン |
| 出版者 |
同朋舎
|
| 出版年月 |
1998.3 |
| ページ数 |
735,168p |
| 大きさ |
23cm |
| 分類記号 |
388.1
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| 分類記号 |
388.1
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| ISBN |
4-8104-2490-1 |
| 件名 |
民話-日本 |
| 言語区分 |
日本語 |
| (他の紹介)内容紹介 |
材料構成原子が自然に原子間の相互作用により特定の極微構造を形成する、いわゆる「自己組織化」現象の利用が注目されている。この現象は量子細線や量子ドットなどのナノ構造の形成に応用され、次世代のプロセス技術のひとつとして研究開発が著しい。本書は、このような自己組織化プロセス技術について、わが国の本分野の第一線の研究者らが解説した初の成書である。自己組織化現象のメカニズムと極微構造制御技術、STMなどによる構造評価技術、計算物理による理論とシミュレーションなどの基本事項から、SiやGe、化合物半導体らのナノ構造作製技術への応用まで、網羅的に解説している。 |
| (他の紹介)目次 |
第1編 基礎編(量子ドットの電子状態とデバイスへの展開の基礎 Si、GaN量子ドットの自己形成と光学的特性 水素化Si(100)でのSiアドアトムの吸着と拡散 ほか) 第2編 Si、Geの自己組織化技術(吸着Si表面における自己組織化とナノ構造形成 Si表面の自己組織化とその集積化 Si(001)に出現する縞状の原子ステップ構造 ほか) 第3編 化合物半導体の自己組織化技術(自己集合ならびに自己組織化による半導体ナノ構造形成 GaAs薄膜成長過程での自己組織化 GaAs(111)A、(110)基板上のInAs成長 ほか) |
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