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資料情報
各蔵書資料に関する詳細情報です。
No. |
所蔵館 |
資料番号 |
請求記号 |
配架場所 |
所蔵棚番号 |
資料種別 |
帯出区分 |
状態 |
付録 |
貸出
|
1 |
中央図書館 | 0110483211 | 428.4/ヒ/ | 書庫3 | | 一般図書 | 一般貸出 | 在庫 | |
○ |
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書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
タイトルコード |
1001000727975 |
書誌種別 |
図書 |
書名 |
表面新物質とエピタクシー |
書名ヨミ |
ヒョウメン シンブッシツ ト エピタクシー |
著者名 |
日本物理学会/編
|
著者名ヨミ |
ニホン ブツリ ガッカイ |
出版者 |
培風館
|
出版年月 |
1992.12 |
ページ数 |
262p |
大きさ |
22cm |
分類記号 |
428.4
|
分類記号 |
428.4
|
ISBN |
4-563-02212-8 |
内容紹介 |
近年、エピタクシャル成長法による表面新物質の創製が可能になってきた。エピタクシー技術の基礎から、最先端の研究成果までを解説し今後の研究方向を示俊する。 |
件名 |
表面物理学 |
言語区分 |
日本語 |
(他の紹介)内容紹介 |
本書では、エピタクシーの最近までの発展経過を簡単に述べ、表面構造や表面の相転移について説明したのち、エピタクシー過程の代表的な研究方法と、それから得られる情報について解説する。つぎに、次世代のエレクトロニクスを担う代表的な材料である半導体、金属、酸化物超伝導体、ダイヤモンド等をとり上げ、そのエピタクシャル成長や薄膜の制御方法、薄膜の物性について、最近の発展を中心に説明する。 |
(他の紹介)目次 |
1 エピタクシー研究の歴史 2 表面の理論 3 表面の相転移 4 GaAs表面および吸着層 5 金属およびSi表面におけるアルカリ金属吸着 6 走査トンネル顕微鏡と半導体表面の理論 7 走査トンネル顕微鏡によるSi表面の観察 8 電子顕微鏡法による表面構造の解析 9 電子顕微鏡によるエピタクシャル成長のその場観察 10 RHEEDの強度振動とエピタクシーの制御 11 電子線、X線分光によるエピタクシーの解析 12 イオン散乱分光によるエピタクシーのその場解析 13 半導体薄膜のエピタクシーとその制御 14 金属の多層膜の生成とその物性 15 酸化物超伝導体のエピタクシーとその表面・界面 16 気相からのダイヤモンド成長とエピタクシー |
内容細目表
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