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資料情報
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| No. |
所蔵館 |
資料番号 |
請求記号 |
配架場所 |
所蔵棚番号 |
資料種別 |
帯出区分 |
状態 |
付録 |
貸出
|
| 1 |
中央図書館 | 0114024581 | 549.8/カ/ | 書庫3 | | 一般図書 | 一般貸出 | 在庫 | |
○ |
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書誌詳細
この資料の書誌詳細情報です。
| タイトルコード |
1001000144807 |
| 書誌種別 |
図書 |
| 書名 |
化合物半導体エレクトロニクス |
| 書名ヨミ |
カゴウブツ ハンドウタイ エレクトロニクス |
| 著者名 |
菅野 卓雄/[ほか]編集
|
| 著者名ヨミ |
スガノ タクオ |
| 出版者 |
東京大学出版会
|
| 出版年月 |
1986.11 |
| ページ数 |
226p |
| 大きさ |
26cm |
| 分類記号 |
549.8
|
| 分類記号 |
549.8
|
| ISBN |
4-13-060110-5 |
| 件名 |
化合物半導体 |
| 言語区分 |
日本語 |
| (他の紹介)内容紹介 |
東京大学公開フォーラムは、大学において得られた研究成果をまとめて公表し、開かれた大学としての任務の一端を担って当該分野の学問の発展に寄与することを目的とした開催された。これは、その趣旨にもとづいて、化合物半導体エレクトロニクスの現状を把握し、その将来を展望するのに役立つよう、第1回フォーラムの内容をそのまま出版したものである。 |
| (他の紹介)目次 |
化合物半導体の結晶成長(結晶成長のカイネティクスと形態不安定性 分子線エピタキシーによる超薄膜ヘテロ構造の作成・電子物性・デバイス応用の研究) 化合物半導体の特性評価(化合物半導体中の深い準位―EL2の成因を中心に レーザラマン分光法による化合物半導体の評価) 化合物半導体デバイス(化合物半導体MIS電界効果トランジスタにおける界面電子伝導と安定性 コヒーレント光伝送に用いられる化合物半導体デバイス GaAsIC及びOEICの特性に及ぼす基板の効果 半導体レーザの動的不安定性―モードホッピング雑音の起因 化合物半導体の電気光学特性と導波型光変調デバイス 光演算・記憶の微視的機構の理論的考察 量子井戸レーザにおけるダイナミックス) |
内容細目表
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