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書誌情報

書名

最大エントロピー法による時系列解析 MemCalcの理論と実際    

著者名 常盤野 和男/著   大友 詔雄/著   田中 幸雄/著
出版者 北海道大学出版会
出版年月 2008.12


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No. 所蔵館 資料番号 請求記号 配架場所 所蔵棚番号 資料種別 帯出区分 状態 付録 貸出
1 中央図書館0117814202KR417.6/サ/2階郷土118A郷土資料貸出禁止在庫   ×

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1999
627.83 627.83
物理学

書誌詳細

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タイトルコード 1008000107720
書誌種別 図書
書名 最大エントロピー法による時系列解析 MemCalcの理論と実際    
書名ヨミ サイダイ エントロピーホウ ニ ヨル ジケイレツ カイセキ 
著者名 常盤野 和男/著
著者名ヨミ トキワノ カズオ
著者名 大友 詔雄/著
著者名ヨミ オオトモ ノリオ
著者名 田中 幸雄/著
著者名ヨミ タナカ ユキオ
版表示 第2版
出版者 北海道大学出版会
出版年月 2008.12
ページ数 10,252p
大きさ 21cm
分類記号 417.6
分類記号 417.6
ISBN 4-8329-9982-4
内容紹介 時系列データ解析理論の解説書。有限長時系列のスペクトル解析理論と、時系列の最適あてはめ理論を取り上げる。MemCalcシステムを使った実際の計算例も収載。「相互相関の理論」の章を追加した第2版。
件名 時系列、スペクトル解析(数学)
言語区分 日本語

(他の紹介)内容紹介 バンド理論をはじめとした固体物理の知見は、20世紀半ばに半導体デバイスという大発明の実を結んだ。それから50年足らずの今日、半導体エレクトロニクスは、携帯電話、パソコン、インターネットなど、今日のIT社会を支える技術の基礎となっている。高度な情報処理を可能とする半導体デバイスはいったいどのような原理にもとづいて作動しているのか。物質中の電子のふるまいから始め、ていねいに解説する。
(他の紹介)目次 1 半導体中の電子と正孔(固体の電気的性質
半導体の特徴と種類
半導体中の電子および正孔の濃度
不純物半導体の特性
半導体の電気的性質)
2 半導体pn接合(pn接合の形成
電流―電圧特性
pn接合の空乏層容量
金属−半導体接触)
3 金属‐絶縁物‐半導体(MOS)構造(理想MOSダイオード
MOSダイオードの動作状態
表面電位と表面キャリア濃度
反転しきい値電圧
実際のMOSダイオード)
4 MOS集積回路(MOSFETの電流‐電圧特性
MOSFETの種類
CMOS基本回路
論理回路とメモリ回路)
5 半導体光デバイス(光電変換デバイスの現状
受光デバイス
発光デバイス)
(他の紹介)著者紹介 石原 宏
 1945年生まれ。1968年東京工業大学理工学部電子工学科卒業。1973年東京工業大学大学院理工学研究科博士課程修了。現在、東京工業大学フロンティア創造共同研究センター教授。専門は、半導体工学、集積回路、強誘電体メモリ(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)


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