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書誌情報

書名

クルーグマン教授の経済入門   ちくま学芸文庫  

著者名 ポール・クルーグマン/著   山形 浩生/訳
出版者 筑摩書房
出版年月 2009.4


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No. 所蔵館 資料番号 請求記号 配架場所 所蔵棚番号 資料種別 帯出区分 状態 付録 貸出
1 厚別8012991652332/ク/書庫文庫一般図書一般貸出在庫  
2 図書情報館1310133838332.5/ク/書庫2一般図書貸出禁止在庫   ×

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佐藤 文隆
2002
798 798.3
物理学

書誌詳細

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タイトルコード 1008000146489
書誌種別 図書
書名 クルーグマン教授の経済入門   ちくま学芸文庫  
書名ヨミ クルーグマン キョウジュ ノ ケイザイ ニュウモン 
著者名 ポール・クルーグマン/著
著者名ヨミ ポール クルーグマン
著者名 山形 浩生/訳
著者名ヨミ ヤマガタ ヒロオ
出版者 筑摩書房
出版年月 2009.4
ページ数 410p
大きさ 15cm
分類記号 332.53
分類記号 332.53
ISBN 4-480-09215-1
件名 アメリカ合衆国-経済、経済学
言語区分 日本語

(他の紹介)内容紹介 バンド理論をはじめとした固体物理の知見は、20世紀半ばに半導体デバイスという大発明の実を結んだ。それから50年足らずの今日、半導体エレクトロニクスは、携帯電話、パソコン、インターネットなど、今日のIT社会を支える技術の基礎となっている。高度な情報処理を可能とする半導体デバイスはいったいどのような原理にもとづいて作動しているのか。物質中の電子のふるまいから始め、ていねいに解説する。
(他の紹介)目次 1 半導体中の電子と正孔(固体の電気的性質
半導体の特徴と種類
半導体中の電子および正孔の濃度
不純物半導体の特性
半導体の電気的性質)
2 半導体pn接合(pn接合の形成
電流―電圧特性
pn接合の空乏層容量
金属−半導体接触)
3 金属‐絶縁物‐半導体(MOS)構造(理想MOSダイオード
MOSダイオードの動作状態
表面電位と表面キャリア濃度
反転しきい値電圧
実際のMOSダイオード)
4 MOS集積回路(MOSFETの電流‐電圧特性
MOSFETの種類
CMOS基本回路
論理回路とメモリ回路)
5 半導体光デバイス(光電変換デバイスの現状
受光デバイス
発光デバイス)
(他の紹介)著者紹介 石原 宏
 1945年生まれ。1968年東京工業大学理工学部電子工学科卒業。1973年東京工業大学大学院理工学研究科博士課程修了。現在、東京工業大学フロンティア創造共同研究センター教授。専門は、半導体工学、集積回路、強誘電体メモリ(本データはこの書籍が刊行された当時に掲載されていたものです)


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